Nawigacja |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Multiwibratory, znamy również pod nazwą przerzutniki astabilne. Przerzutniki ponieważ na wyjściu przybierają jeden z dwóch stanów (albo bliski potencjałowi masy, lub też bliski nap. zasilania). Układy takie stosuje się do wytwarzania (generacji) okresowych przebiegów, w idealnym przypadku prostokątnych, w rzeczywistości są to sygnały zbliżone do prostokąta. Są to układy samowzbudne, czyli wzmacniacze o silnym dodatnim sprzężeniu zwrotnym (generatory).
Cechy impulsu prostokątnego:
amplituda Um
czas trwania ti
czas narastania tn
czas opadania to
zwis Um(przyrost)
czas przerzutu tu
amplituda przerzutu UmU
Przerzutniki astabilne wykonywane są stosując różne rodzaje elementów dyskretnych: tranzystory bipolarne, tranzystory unipolarne, tranzystory jadnozłączowe, a także i liniowych układów scalonych i lamp.
Najprostszy (jak i najczęściej stosowany) przerzutnik astabilny stanowi połączenie dwóch tranzystorów bipolarnych (najczęściej npn), które objęte są silnym dodatnim pojemnościowym sprzężeniem zwrotnym.Silne sprzężenie powoduje że tranzystory przechodzą na zmianę ze stany nasycenia do stanu odcięcia, i tak cyklicznie stany na obu wyjściach zmieniają się na przeciwne. Pracują dwustanowo, czyli traktujemy je jako przełączniki (klucze: otwarty, zamknięty) elektroniczne.

Na początku możemy założyć że po włączeniu zasilania pierwszy w stan nasycenia wejdzie T1. W związku z tym na jego kolektorze napięcie jest równe UCE sat 1. Rozładowuje się kondensator CB2w obwodzie +Ec, RB2i C-E T1 do masy. Rozładowanie ma charakter wykładniczy, stałą czasową w przybliżeniu traktujemy jako RB2CB2. Tranzystor T2 nie przewodzi, ponieważ jego baza jest na potencjale ujemnym, dlatego też na jego kolektorze napięcie jest prawie równe EC. Kondensator CB1ładuje się w obwodzie E-B T1, RC2, +EC. Jeśli dobór elementów jest prawidłowy, proces ładowania CB1jest szybszy niż rozładowania CB2. Jeżeli kondensator CB2rozładuje się do wartości progowego U(TO)2tranzystora T2, to tranzystor ten zacznie przewodzić, a więc napięcie na kolektorze zacznie maleć. Ponieważ proces ten odbywa się lawinowo, w efekcie mamy bezpośrednią zmianę stanów pracy tranzystorów (odcięcia, nasycenia) T1 i T2. Tranzystor T2 wchodzi więc w stan nasycenia, a tranzystor T1 wchodzi w stan odcięcia. Następnie zjawiska przebiegają podobnie lecz dla drugiej (symetralnej) strony układu, a więc CB1rozładowuje się, a ładowany jest CB2. Gdy napięcie na bazie T1 osiągnie wartość progu przełączenia U(T0)1tranzystor ten wejdzie w stan nasycenia i cały cykl znowu się będzie powtarzać.
amplituda impulsów na wyjściu (kolektor tranzystora) ma wartość: Um= EC- UCE sat
czas trwania poszczególnych cykli: t1= 0,69 RB1CB1t2= 0,69 RB2CB2
okres drgań: T = t1+ t2= 0,69(RB1CB1+ RB2CB2)
Jeśli elementy RC są symetryczne, czyli RB1= RB2= RBoraz CB1= CB2= CBwyliczenie okresu drgań możemy skrócić do:
T = 1,38RBCB
Czasu narastania impulsów zależą głównie od stałych czasowych RB1CB1i RB2CB2, a czasy opadania od pojemności obciążającej kondensatory. Na ogół czas opadania jest dużo mniejszy od czasu narastania. Rezystancje RBdobiera się tak, by zaraz po włączeniu zasilania tranzystor mógł wejść w stan przewodzenia. Aby tak było, powinna zajść zależność:
RB= B0RC, gdzie B0to beta tranzystora.
Okres drgań przerzutnika możemy zmieniać poprzez zmianę elementów RB, CB, zmieniając wartość napięcia do którego ładować się będą kondensatory CB, lub też poprzez zmianę napięcia zasilania.
Zmiany parametrów rezystorów i kondensatorów sprzęgających zmieniają stała czasową, a więc i okres (częstotliwość), lecz kształt pozostaje taki sam. Najczęściej stosuje się skokową zmianę pojemności i płynną zmianę rezystancji. Zmiana napięcia zasilania sprowadza się do dodania osobnego źródła EBzasilającego bazy, do którego są podpięte rezystory RB. Napięcie na bazie nie przewodzącego tranzystora dąży więc do wartości EB, a nie do EC. Zmienia się więc czas rozładowania kondensatora CB, czyli również okres.
Poprawienie kształtu impulsów, wiąże się głównie ze skróceniem czasów narastania. W tym celu stosuje się dwa sposoby:
dodatkowe diody i rezystory (RD1, RD2, D1, D2 na rysunku poniżej) - korzystając z rysunku a) poniżej: jeżeli T1 przestaje przewodzić, wówczas RC1jest odcięty od masy, co sprawia że na kolektorze T1 napięcie dąży wartości do +EC. Powoduje to polaryzacje diody D1 w kierunku wstecznym, a więc i RC1zostaje odcięty od kondensatora CB2, który to ładuje poprzez RD1ze źródła EC. Dzięki temu napięcie na kolektorze T1 zmienia się szybko, a na RD1wolniej.
Zastosowanie wtórników separujących (rysunek b) poniżej), przez które ładowane są kondensatory sprzęgające.
Przerzutniki astabilne budować również możemy z wykorzystaniem typowych wzmacniaczy operacyjnych, odpowiednio dobierając elementy RC. Na rysunku a) poniżej do generacji drgań używamy umieszczone w ujemnym sprzężeniu zwrotnym elementy: R3 i C. Kondensator ten jest ładowany właśnie poprzez ten rezystor. Dodatnie sprzężenie zwrotne złożone z R1 i R2 zapewnia histerezę (by wzmacniacz był tylko dwustanowy). Rezystorami tymi ustala się również współczynnik przenoszenia układu, i wyrażany jest stosunkiem B (beta) = R2 : (R1 + R2). Napięcie wyjściowe ograniczają diody Zenera, zarówno od strony dodatniej, jak i ujemnej. Amplituda napięcia wyjściowego jest około 0,6V większa (albo o -0,6V mniejsza dla nap. ujemnego) niż napięcie zenera, co i tak zwykle jest wartością pomijalną w stosunku do Uz, tak więc podajemy samą wartość Uz. Napięcie wyjściowe zmienia się skokowo od wartości -Uz do + Uz, dzięki temu następuje wykładnicze ładowanie kondensatora C poprzez R3. Dodatnie sprzężenie zwrotne (dzięki R1 i R2) powoduje że gdy napięcie na wejściu odwracającym wzmacniacza operacyjnego B*UZ1 i następuje skokowa zmiana napięcia na wyjście z dodatniego na ujemne -Uz. Dalej cykl zachodzi podobnie i powtarza się. Częstotliwość drgań możemy określić wzorem: f = 1/[3CR3 ln(1 + 2R2/R1).
Na podobnej zasadzie działają układy na rysunkach b) i c).
|
|
|
|
|
|
|
Dzisiaj stronę odwiedziło już 2 odwiedzający (3 wejścia) tutaj! |
|
|
|
|
|
|
|